Ваш браузер устарел.

Для того, чтобы использовать все возможности сайта, загрузите и установите один из этих браузеров.

скрыть

Article

  • Title

    Using of the theory of catastrophes for modeling thermodynamic stability of four-component solid solutions

  • Authors

    Kazakov A. I.
    Kolesnikov S. V.

  • Subject

    ELECTRONICS. RADIO ENGINEERING. TELECOMMUNICATION FACILITIES

  • Year 2007
    Issue 1(27)
    UDC 621.382:54-165
    DOI
    Pages 179-185
  • Abstract

    The opportunity of using the theory of catastrophes is considered in analysing thermodynamic stability of four-component solid solutions. The design procedure of the third derivative of the free energy of four-component phases by the concentration parameters is offered. The zeroth contours of the second and third derivatives of the free energy on sections of existence of the InxGa1 xAsyP1-y and InxGa1 xSbyAs1-y solid solutions have been designed, that has allowed to specify position of areas of unstable compositions. The results of modeling agree well with the experimental data on spontaneous formation of modulated structures in epitaxial layers.

  • Keywords
  • Viewed: 1006 Dowloaded: 3
  • Download Article
  • References

    1.    Мильвидский М.Г. Четверные твердые растворы полупроводниковых соединений / М.Г. Мильвидский, Л.М. Долгинов // Рост кристаллов. — М.: Наука, 1983. — Т. 14. — C. 43 — 52.
    2.    Пригожин И. Химическая термодинамика: Пер. с англ. / И. Пригожин, Р. Дефэй; Под ред. В.А. Михайлова. — Новосибирск: Наука, 1966. — 502 с.
    3.    Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах / А.И. Казаков, В.А. Мокрицкий, В.Н. Романенко, Л. Хитова — М.: Металлургия, 1987. — 136 с.
    4.    Постон Т. Теория катастроф и ее приложение / Т. Постон, И. Стюарт — М.: Мир, 1980. — 670 с.
    5.    Асанович В.Я. О новом подходе к расчету границы несмешиваемости в металлических распла-вах / В.Я. Асанович, Н.А. Ватолин // Докл. АН СССР. — 1981. — Т. 261, № 3. — С. 650 — 652.
    6.    Асанович В.Я. Приложение “теории катастроф” к описанию фазовых переходов I рода // Мат. задачи хим. термодинамики. — Новосибирск: Наука, 1985. — C. 181 — 188.
    7.    Okada K. Classical calculations on the phase transition I. Phase diagram in four-dimensional space for the system with one order parameter / K. Okada, I. Suzuki // J. Phys. Soc. Jap. — 1982. — Vol. 51, № 10. — P. 3250 — 3257.
    8.    Onabe K. Immiscibility in type A1-xBxC1-yDy strictly regular quaternary solid solutions. I. Unstable Regions // Jap. J. Appl. Phys. — 1983. — Vol. 22, № 4. — P. 663 — 673.
    9.    Schelter W. Maxima-5.0.10b: GNU General Public License (GPL) — http://www.maxima.sourceforge.net. — 8.11.2006.
    10.    Справочник по математике. Корн Г., Корн Т. — М.: Наука, 1974. — 832 с.
    11.    Panish M.B. Phase equilibria in ternary III—V systems / M.B. Panish, M. Ilegems // Progress in Solid State Chemistry. — 1972. — Vol. 7. — P. 39 — 84.
    12.    Onabe K. Immiscibility analysis for III-V quaternary solid solutions // NEC Res. Develop. — 1984. — № 72. — P. 1 — 11.
    13.    Sankaran R. Liquid phase epitaxial growth of InGaAsSb on (111) InAs / R. Sankaran, G.A. Antypas // J.Crystal Growth. — 1976. — Vol. 36. — P. 198 — 204.
    14.    Composition modulation in liquid phase epitaxial InxGa1-xAsyP1-y layers lattice matched to InP substrates / P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H. Launois // Appl. Phys. Let. — 1982. — Vol. 40, № 11 — P. 963 — 965.
    15.    Influence of baking on the photoluminescence spectra of InxGa1-xAsyP1-y solid solutions grown on InP substrates / V.A. Mishurnyi, A.Yu. Gorbatchev, De Anda F., T. Nieto-Navarro // Revista Mexicana De Fisika. — 2004. — Vol. 50, № 3. — P. 216 — 220.
    16.    Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP / Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов и др. //  Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32, № 6. — С. 658 — 662.
    17.    Mukai S. Photoluminescence and electrical properties of InGaPAs mixed crystals liquid phase epitaxially grown on (100) GaAs // J. Appl. Phys. — 1983. — Vol. 54, №. 5 — P. 2635 — 2645.
    18.    Оптические и структурные свойства твердых растворов InGaAsP, полученных способом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs (001) в области несмешиваемости / Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов и др. // Физика и техника полупроводников. — 2003. — Т. 37, № 9. — С. 1104 — 1107.
    19.    Stability analysis of quaternary InxGa1-xSbyAs1-y alloys / A.I. Kazakov, I.N. Kishmar, A.E. Bochkarev, L.M. Dolginov // J. Crystal Growth. — 1992. — Vol. 116. — P. 204 — 212.
     

  • Creative Commons License by Author(s)